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先測試出可控硅的峰值電壓，將電線正負極連接至K兩極，接地線接至室內(nèi)主接地上，逐漸升壓，測試其漏電流數(shù)值。進行漏電測試后，逐漸升壓，觀測漏電流，當數(shù)值超過其額定峰值電壓后，可控硅被擊穿，但采用此方法可能會破壞其PN結(jié)，并且只能測試其是否導通，而不能測試其導通是否良好，故不再采用此法進行測試。搖表測試法用搖表對可控硅進行測量，參照之前使用的漏電檢測法。為防止搖表法測試過程中擊穿或損壞可控硅，改變搖表操作方法，即要對搖表電壓和轉(zhuǎn)速進行控制，兩筆端鏈接K極對其進行測試。