目前盡可能從機械方面集成電力電子系統(tǒng)所有的功能，碳化硅、氮化鎵（射頻／非射頻）模塊封裝也向著更高的集成度方向發(fā)展。

由于材料的熱膨脹系數不同、高溫波動和運行過程中的過度負載循環(huán)將導致焊料層疲勞，影響寬禁帶半導體模塊的可靠性。

相比焊接模塊，加壓燒結銀的銀燒結技術對模組結構、使用壽命、散熱產生了重要影響，采用銀燒結技術可使模塊使用壽命提高5-10倍，