非平衡載流子壽命 　光照或電注入產(chǎn)生的附加電子和空穴瞬即復(fù)合而消失，它們平均存在的時間稱為非平衡載流子的壽命。非平衡載流子壽命同器件放大倍數(shù)、反向電流和開關(guān)特性等均有關(guān)系。壽命值又間接地反映硅單晶的純度，存在重金屬雜質(zhì)會使壽命值大大降低。

硅單晶主要技術(shù)參數(shù)有導(dǎo)電類型、電阻率與均勻度、非平衡載流子壽命、晶向與晶向偏離度、晶體缺陷等。 導(dǎo)電類型 　導(dǎo)電類型由摻入的施主或受主雜質(zhì)決定。P型單晶多摻硼，N型單晶多摻磷,外延片襯底用N型單晶摻銻或砷

熱導(dǎo)率較大?；瘜W(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，又易于形成穩(wěn)定的熱氧化膜。在平面型硅器件制造中可以用氧化膜實現(xiàn)PN結(jié)表面鈍化和保護，還可以形成金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),制造MOS場效應(yīng)晶體管和集成電路。上述性質(zhì)使PN結(jié)具有良好特性，使硅器件具有耐高壓、反向漏電流小、、使用壽命長、可靠性好、熱傳導(dǎo)好，并能在200高溫下運行等優(yōu)點。

硅具有優(yōu)良的半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)。禁帶寬度適中，為1.12電子伏。載流子遷移率較高，電子遷移率為1350厘米2/伏·秒，空穴遷移率為480厘米2/伏·秒。本征電阻率在室溫(300K)下高達2.3×105歐·厘米,摻雜后電阻率可控制在104～10-4 歐·厘米的寬廣范圍內(nèi)，能滿足制造各種器件的需要。硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命較長,在幾十微秒至1毫秒之間。

硅是元素半導(dǎo)體。電活性雜質(zhì)磷和硼在合格半導(dǎo)體和多晶硅中應(yīng)分別低于0.4ppb和0.1ppb。拉制單晶時要摻入一定量的電活性雜質(zhì)，以獲得所要求的導(dǎo)電類型和電阻率。重金屬銅、金、鐵等和非金屬碳都是極有害的雜質(zhì)，它們的存在會使PN結(jié)性能變壞。硅中碳含量較高，低于1ppm者可認(rèn)為是低碳單晶。碳含量超過3ppm時其有害作用已較顯著。硅中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉硅單晶氧含量在5～40ppm范圍內(nèi)；區(qū)熔硅單晶氧含量可低于1ppm。

目前，世界上絕大部分廠家采用傳統(tǒng)的改良西門子法生產(chǎn)硅料，作為成熟的技術(shù)路線，其降本增效潛力已近極限。作為硅料的保利協(xié)鑫十余年如一日，不斷尋求技術(shù)突破以實現(xiàn)提質(zhì)增效，其的、具有自主知識產(chǎn)權(quán)的硅烷流化床法顆粒硅（FBR法顆粒硅）技術(shù)已趨成熟，在產(chǎn)品純度、能耗、產(chǎn)能等各項指標(biāo)上，均大幅改良西門子法。

1956年研究成功氫還原三氯氫硅法。對硅中微量雜質(zhì)又經(jīng)過一段時間的探索后，氫還原三氯氫硅法成為一種主要的方法。到1960年，用這種方法進行工業(yè)生產(chǎn)已具規(guī)模。硅整流器與硅閘流管的問世促使硅材料的生產(chǎn)一躍而居半導(dǎo)體材料的。60年代硅外延生長單晶技術(shù)和硅平面工藝的出現(xiàn)，不但使硅晶體管制造技術(shù)趨于成熟，而且促使集成電路迅速發(fā)展。80年代初全世界多晶硅產(chǎn)量已達2500噸。硅還是有前途的太陽電池材料之一。用多晶硅制造太陽電池的技術(shù)已經(jīng)成熟；無定形非晶硅膜的研究進展迅速；非晶硅太陽電池開始進入市場。
在研究和生產(chǎn)中，硅材料與硅器件相互促進。在第二次世界大戰(zhàn)中，開始用硅制作雷達的高頻晶體檢波器。所用的硅純度很低又非單晶體。1950年制出只硅晶體管，提高了人們制備硅單晶的興趣。1952年用直拉法(CZ)培育硅單晶成功。1953年又研究出無坩堝區(qū)域熔化法(FZ)，既可進行物理提純又能拉制單晶。1955年開始采用鋅還原四氯化硅法生產(chǎn)純硅，但不能滿足制造晶體管的要求。
回收廠處理壽終正寢的“晶體硅”光伏板。典型的晶體硅太陽能電池板由65-75%的玻璃、10-15%的鋁制框架、10%的塑料和3-5%的硅制成。為了提率和安全性，回收廠使用自動機器人來完成太陽能電池板的拆解與分揀工作。