隨著新一代IGBT芯片及功率密度的進一步提高，對功率電子模塊及其封裝工藝要求也越來越高，特別是芯片與基板的互連技術(shù)很大程度上決定了功率模塊的壽命和可靠性。

以AS9385有壓燒結(jié)銀膏為例，在燒結(jié)過程中，銀顆粒通過接觸形成燒結(jié)頸，銀原子通過擴散遷移到燒結(jié)頸區(qū)域，從而燒結(jié)頸不斷長大，相鄰銀顆粒之間的距離逐漸縮小，形成連續(xù)的孔隙網(wǎng)絡，隨著燒結(jié)過程的進行，孔洞逐漸變小，燒結(jié)密度和強度顯著增加，在燒結(jié)后階段，多數(shù)孔洞被完全分割，小孔洞逐漸消失，大空洞逐漸變小，直到達到終的致密度。

燒結(jié)得到的連接層為多孔性結(jié)構(gòu)，孔洞尺寸在微米及亞微米級別，連接層具有良好的導熱和導電性能，熱匹配性能良好。