多功用磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，由真空鍍膜系統(tǒng)和手套箱系統(tǒng)集成而成，可在高真空蒸鍍腔室中完結(jié)薄膜蒸鍍，并在手套箱高純惰性氣體氣氛下進(jìn)行樣品的寄存、制備以及蒸鍍后樣品的檢測(cè)。蒸騰鍍膜與手套箱組合，實(shí)現(xiàn)蒸鍍、封裝、測(cè)驗(yàn)等工藝全封閉制造，使整個(gè)薄膜生長(zhǎng)和器材制備過程高度集成在一個(gè)完整的可控環(huán)境氣氛的系統(tǒng)中，消除有機(jī)大面積電路制備過程中大氣環(huán)境中不穩(wěn)定因素影響，保障了高功用、大面積有機(jī)光電器材和電路的制備。

真空鍍膜中常用的塑料，ABS是早運(yùn)用的，是一起滿意三個(gè)條件的塑料，A代表丙烯腈，B代表丁二烯，S代表苯乙烯，塑料中含有以上三種物質(zhì)的便是ABS塑料了，ABS鍍上膜層后，能夠很好的發(fā)揮其機(jī)械功能、抗沖擊性，依靠其硬度大，耐磨損，本錢不高，常常被用于替代某些金屬機(jī)械零部件，也用于出產(chǎn)家用電器的外殼，但由于含有丁二烯，ABS不能在室外運(yùn)用，否則會(huì)變色。

真空鍍膜機(jī)的污染物可以定義為“任何一種無用的物質(zhì)或能量”。多弧離子鍍膜機(jī)根據(jù)污染物的物理狀態(tài)可分為固態(tài)、氣態(tài)和液態(tài)，污染物以薄膜或顆粒的形式存在。就其化學(xué)特性而言，它可以是離子態(tài)或共價(jià)態(tài)，無機(jī)態(tài)或有機(jī)態(tài)。

暴露在空氣中的真空鍍膜機(jī)表面容易受到污染。污染源有很多，初的污染通常是地表本身的一部分。吸附現(xiàn)象、化學(xué)反應(yīng)、浸出干燥過程、機(jī)械處理、擴(kuò)散和偏析過程都增加了各種組分的表面污染物。真空材料表面的常見污染物如下。

　?、儆椭?潤(rùn)滑劑、切削液、真空油脂等。在加工、組裝和操作過程中被污染;

　?、谒?操作時(shí)的手汗、吹氣時(shí)的水蒸氣、唾液等。

　?、郾砻嫜趸?材料長(zhǎng)時(shí)間放置在空氣中或潮濕空氣中形成的表面氧化物;

　　④酸、堿、鹽類物質(zhì):清洗時(shí)的殘留物質(zhì)、手汗、水中的礦物質(zhì)等。

　　⑤環(huán)境空氣中的拋光殘?jiān)?、灰塵和其他有機(jī)物等。

與傳統(tǒng)的鍍膜方法相比，真空鍍膜屬于干法鍍膜，其主要方法有以下幾種:

　　1.真空蒸發(fā)

　　其原理是在真空條件下，用蒸發(fā)器加熱蒸發(fā)材料使其蒸發(fā)或升華，蒸發(fā)的離子流直接射向基片，在基片上沉積固體薄膜。

　　2.濺射涂層

　　濺射鍍膜是一種真空條件，在陰極施加2000V高壓激發(fā)輝光放電，帶正電的氬離子撞擊陰極噴出原子。濺射的原子通過惰性氣氛沉積在襯底上形成薄膜。17_副本.jpg

　　3.離子電鍍法

　　即干式螺桿真空泵制造商已經(jīng)推出的真空離子涂層。它是在上述兩種真空鍍膜技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，所以具有兩者的工藝特點(diǎn)。在真空條件下，工作氣體或蒸發(fā)物質(zhì)(膜材料)通過氣體放電被部分電離，蒸發(fā)物質(zhì)或其反應(yīng)物在離子轟擊下沉積在基片表面。在成膜的過程中，襯底總是受到高能粒子的轟擊，這使得它非常干凈。

　　4.真空卷繞涂層

　　真空鍍膜是通過物理氣相沉積在柔性基板上進(jìn)行連續(xù)鍍膜的技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)柔性基板的某些功能性和裝飾性。

在檢漏過程中，為了做好檢漏工作，有必要注意一些問題。

，檢查虛漏是否仍為實(shí)漏，因?yàn)楣ぜ?shù)據(jù)加熱后會(huì)出現(xiàn)不同程度的氣體，有可能被誤認(rèn)為是從外部流出的氣體，這就是虛漏，要消除這種情況。

第二，測(cè)試真空室的氣密性功能，確保氣密性功能符合要求。

三、檢查漏孔的大小、形狀、方位、漏速，編制解決方案并實(shí)施。

四、得出檢測(cè)儀器檢漏的檢出率和靈敏度，要檢查刻度的泄漏情況，防止一些泄漏孔被疏忽，提高泄漏檢測(cè)的準(zhǔn)確性。

五、掌握檢漏儀的反應(yīng)時(shí)間和消除時(shí)間，把握好時(shí)間，檢漏儀操作到位，時(shí)間少，檢漏功能一定差，時(shí)間長(zhǎng)，浪費(fèi)檢漏氣和人工電。

六、還要防止泄漏堵塞，有時(shí)由于操作失誤，在檢漏過程中，一些灰塵或液體將泄漏堵塞，認(rèn)為孔的方向沒有泄漏，但當(dāng)由于內(nèi)外壓差進(jìn)展或其他原因?qū)е滦孤┛孜炊氯麜r(shí)，泄漏仍在那里。