DRAM特點(diǎn)如下： ●存儲(chǔ)原理：利用MOS管柵極電容可以存儲(chǔ)電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之后：?jiǎn)喂芑締卧?●刷新（再生）：為及時(shí)補(bǔ)充漏掉的電荷以避免存儲(chǔ)的信息丟失，定時(shí)給柵極電容補(bǔ)充電荷的操作。 ●刷新時(shí)間：定期進(jìn)行刷新操作的時(shí)間。該時(shí)間小于柵極電容自然保持信息的時(shí)間（小于2ms）。 ●優(yōu)點(diǎn)： 集成度遠(yuǎn)SRAM、功耗低，價(jià)格也低。 [8] ●缺點(diǎn)：因需刷新而使外圍電路復(fù)雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計(jì)算機(jī)中，DRAM常用于作主存儲(chǔ)器。 盡管如此，由于DRAM存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。

網(wǎng)卡是一塊被設(shè)計(jì)用來(lái)允許計(jì)算機(jī)在計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)上進(jìn)行通訊的計(jì)算機(jī)硬件。由于其擁有MAC地址，因此屬于OSI模型的第1層和2層之間。它使得用戶(hù)可以通過(guò)電纜或無(wú)線(xiàn)相互連接。

無(wú)線(xiàn)網(wǎng)卡的工作原理是微波射頻技術(shù)，筆記本有WIFI、LTE等幾種無(wú)線(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸模式來(lái)上網(wǎng)，后者由移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商來(lái)實(shí)現(xiàn)，前者三大運(yùn)營(yíng)商有所參與，但大多主要是自己擁有接入互聯(lián)網(wǎng)的WIFI基站（其實(shí)就是WIFI路由器等）和筆記本用的WIFI網(wǎng)卡。無(wú)線(xiàn)上網(wǎng)遵循802.11標(biāo)準(zhǔn)，通過(guò)無(wú)線(xiàn)傳輸，有無(wú)線(xiàn)接入點(diǎn)發(fā)出信號(hào)，用無(wú)線(xiàn)網(wǎng)卡接受和發(fā)送數(shù)據(jù)。