DRAM特點(diǎn)如下: ●存儲(chǔ)原理:利用MOS管柵極電容可以存儲(chǔ)電荷的原理,需刷新(早期:三管基本單元;之后:?jiǎn)喂芑締卧?●刷新(再生):為及時(shí)補(bǔ)充漏掉的電荷以避免存儲(chǔ)的信息丟失,定時(shí)給柵極電容補(bǔ)充電荷的操作。 ●刷新時(shí)間:定期進(jìn)行刷新操作的時(shí)間。該時(shí)間小于柵極電容自然保持信息的時(shí)間(小于2ms)。 ●優(yōu)點(diǎn): 集成度遠(yuǎn)SRAM、功耗低,價(jià)格也低。 [8] ●缺點(diǎn):因需刷新而使外圍電路復(fù)雜;刷新也使存取速度較SRAM慢,所以在計(jì)算機(jī)中,DRAM常用于作主存儲(chǔ)器。 盡管如此,由于DRAM存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,所用元件少,集成度高,功耗低,所以已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。
在計(jì)算機(jī)中,RAM 、ROM都是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。RAM 是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它的特點(diǎn)是易揮發(fā)性,即掉電失憶。ROM 通常指固化存儲(chǔ)器(一次寫入,反復(fù)讀?。?,它的特點(diǎn)與RAM 相反。舉個(gè)例子來說也就是,如果突然停電或者沒有保存就關(guān)閉了文件,那么ROM可以隨機(jī)保存之前沒有儲(chǔ)存的文件但是RAM會(huì)使之前沒有保存的文件消失。
每一個(gè)網(wǎng)卡都有一個(gè)被稱為MAC地址的的48位串行號(hào),它被寫在卡上的一塊ROM中。在網(wǎng)絡(luò)上的每一個(gè)計(jì)算機(jī)都擁有一個(gè)的MAC地址。