江蘇宿豫長晶爐回收 渦旋高真空泵回收附近
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為了方便副爐室3移動(dòng)到取晶位，并方便副爐室3的拆解、清理，連續(xù)拉晶單晶爐還包括副爐室升降驅(qū)動(dòng)裝置12和副爐室旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置13，所述所述副爐室3通過副爐室旋臂14連接在副爐室升降驅(qū)動(dòng)裝置12上，以便通過副爐室升降驅(qū)動(dòng)裝置12驅(qū)動(dòng)副爐室旋臂14升降，并通過副爐室旋臂14帶動(dòng)副爐室3升降，所述副爐室旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置13連接在副爐室升降驅(qū)動(dòng)裝置12和副爐室旋臂14之間，以便使得副爐室旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置13隨副爐室旋臂14一起升降，并通過副爐室旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置13驅(qū)動(dòng)副爐室旋臂14旋轉(zhuǎn)，副爐室旋臂14又帶動(dòng)副爐室3旋轉(zhuǎn)。藍(lán)寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，因此在投資單晶生長企業(yè)的前期，一定要根據(jù)生長設(shè)備，配置出合理的熱場，從而保生產(chǎn)出來的單晶的品質(zhì)。在晶體生長分析與設(shè)計(jì)中，實(shí)驗(yàn)與數(shù)值仿真是相輔相成的，其過程可以分為兩個(gè)部分：（1）在階段,利用引上法晶體生長實(shí)驗(yàn)來進(jìn)行數(shù)值模擬參數(shù)的調(diào)整（2）在二階段,利用數(shù)值模擬是用來確定的晶體生長工藝參數(shù)。

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發(fā)明內(nèi)容、本發(fā)明的目的是提供一種易于及時(shí)排出爐內(nèi)的混合氣體，且可減少熱 能及消耗的直拉式單晶生長爐。實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是提供一種直拉式單晶生長爐，其包括 輸入管、與輸入管相連通的環(huán)形氣體分布器；其特征在于經(jīng)氬 氣輸入管輸入的氣壓為0. 8xl0a0. 9xl0a,流量為 30L/min。上述技術(shù)方案中，還包括設(shè)于直拉式單晶生長爐的坩堝支持器下方和 該爐底部的排氣口之間的氣流導(dǎo)向裝置；該氣流導(dǎo)向裝置為碗形，其包括 設(shè)于氣流導(dǎo)向裝置底部的中軸孔、設(shè)于所述中軸孔兩側(cè)的 一對(duì)電極孔、 以及設(shè)于所述中軸孔兩側(cè)并與該爐的排氣口相對(duì)的通氣孔；該爐的石墨中 軸穿過所述氣流導(dǎo)向裝置的中軸孔，該爐的 一對(duì)電極柱分別穿過所述電極 孔，該爐的排氣口與氣流導(dǎo)向裝置的各通氣孔相連通，氣流導(dǎo)向裝置的上 端部設(shè)于該爐的保溫筒與發(fā)熱體之間。