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QFP燒結銀浙江燒結銀納米銀膏

更新時間:2025-10-03 [舉報]
IGBT應用和有壓燒結銀工藝流程介紹

AS9330系列燒結銀主要應用于:TO、SOT、SOD、DIP、ZIP、SIP、SOP、SSOP、QFP(QFJ)、QFN、LGA、 HBLED 封
裝和其他需要高導熱、導電和粘接的場合。

推薦燒結條件:
1)芯片尺寸<5 x 5 mm:20 分鐘從 25°C 升至 130°C,保持 30 至 60 分鐘;升溫至 200°C 15 分鐘,保持
60 分鐘;(在空氣或氮氣爐中加熱,合適材質:金、銀界面和裸銅界面)

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標簽:浙江半導體燒結銀LGA燒結銀
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