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39800.00元鄭州科探儀器設備是定制物理 氣相沉積（PVD）系統的設計者和制造商，客戶服務和售后服務。擁有7年以上真空和薄膜沉積技術經驗。其研發(fā)團隊在學界科學家和工程師的支持下，高度積極地開發(fā)新設..06月14日 -
化學氣相沉積爐（沉積炭）可用于以碳氫氣體（如C3H8等）為碳源的材料表面或基體等溫CVD/CVI處理。 技術特征 可根據客戶需求設計尺寸，能滿足超大型工件化學氣相沉積處理需求； 采用多05月27日
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100000.00元設備介紹： 本設備是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低09月11日
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該立式化學氣相沉積爐可用于以硅烷為氣源的材料表面抗氧化涂層、基體改性等。 技術特征 采用先進的控制技術，能精密控制MTS的流量和壓力，爐膛內沉積氣流穩(wěn)定，壓力波動范圍??；01月15日
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立式化學氣相沉積爐（沉積炭）可用于以碳氫氣體（如C3H8等）為碳源的材料表面或基體等溫CVD/CVI處理。 技術特征 根據爐膛尺寸與結構設置溫區(qū)，溫度均勻性好； 采用特殊結構沉積室，密05月27日
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中國物理氣相沉積（PVD）設備市場專項調研及投資前景預測報告2024-2030年【報告編號】56004【出版日期】2024年7月【交付方式】電子版或特快專遞【報告價格】【紙質版】:6500 【電子版】:6800 ..10月03日
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等離子體增強化學氣相沉積系統（PECVD），價格咨詢15301310116 北京麥迪森科技有限公司 符合CE認證標準的三溫區(qū)CVD系統，生長樣品腔的管徑60-120mm，它是由高溫管式爐、多路高精度流量控制與04月18日
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29800.00元等離子體化學氣相沉積（ plasma chemical vapor deposition）簡稱PCVD，是一種用等離子體激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態(tài)膜的技術。等離子體化學氣相沉積技術..10月28日
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39800.00元鄭州科探儀器設備是定制物理 氣相沉積（PVD）系統的設計者和制造商，客戶服務和售后服務。擁有7年以上真空和薄膜沉積鍍膜技術經驗。氣相沉積濺射其研發(fā)團隊在學界科學家和工程師的支持下，高..06月14日
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100.00元設備名稱：鴻峰牌CVD設備化學氣相沉積爐 設備用途： 真空CVD設備&化學法氣相沉積實驗爐主要用于實驗室新型炭材料和膜材料的化學沉積實驗,屬于管式高溫回轉爐。 該設備燒結溫03月12日
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58888.00元（一）產品用途：對于石墨烯生長工藝非常合適。制作硅片可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，對于離子注入后的貴金屬，各種黃05月24日
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1.00元供應石墨烯氣相沉積法鴻峰牌CVD系統 該設備為咸陽鴻峰窯爐設備有限公司自主設計的化學氣相沉積爐，主要針對石墨烯薄膜的連續(xù)式沉積，屬于宏量制備系統。 設備特點： 1.該設備可以實02月28日
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產品用途：主要用于稀土制備、電子照明、晶體退火、生物陶瓷、電子陶瓷、特種合金、磁性材料、精密鑄造、金屬熱處理等行業(yè)進行真空燒結、氣氛保護燒結、真空鍍膜、CVD實驗、物質成分05月27日
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100.00元氣相自動切換閥日本ITO伊藤AX-30A 概述 液化石油氣用自動切換式一體型調壓器左右兩方各有一個入口，一方（正在使用方）的液化氣容器的供氣壓力不能維持正常供應時，由另一方（預備方）04月09日
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6000.00元蘇威SOLVAY GALDEN HS 240 HS 260 氣相焊接液 應用領域:半導體、電子工業(yè)氣相焊接 蒸汽焊接 產品..04月08日
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6000.00元蘇威SOLVAY GALDEN系列 LS 155 LS 165 氣相焊接液 應用領域:半導體、電子工業(yè)氣相焊接 蒸汽焊接 產品型號:LS 155..04月08日
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100.00元ITO日本伊藤LPG調節(jié)閥氣相切換閥AX-160-0 日本伊藤ITOKOKI分離式自動切換閥AX-30A-0，AX-50-0，AX-160-0，AX-210A-0氣相自動切換閥/自動切換調壓器/減壓閥/調壓閥 ?AX系列液化氣自動切換調..12月12日
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100.00元日本ITO伊藤AX-20A氣相自動切換閥接液化氣鋼瓶 概述 液化石油氣用自動切換式一體型調壓器左右兩方各有一個入口，一方（正在使用方）的液化氣容器的供氣壓力不能維持正常供應時，由另一12月12日
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100.00元日本ITO氣化爐切換閥AX-30A伊藤氣相切換閥 概述 液化石油氣用自動切換式一體型調壓器左右兩方各有一個入口，一方（正在使用方）的液化氣容器的供氣壓力不能維持正常供應時，由另一方（12月12日
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