新能源車的高速發(fā)展，帶動不斷增大的激光器和驅(qū)動芯片功率，對散熱提出了更高的挑戰(zhàn)。半燒結(jié)銀AS9330是連接半導(dǎo)體晶體管和元器件的關(guān)鍵材料，起到導(dǎo)電和導(dǎo)熱的作用，影響元器件電路導(dǎo)通、功能實現(xiàn)及穩(wěn)定性。
而燒結(jié)技術(shù)通過高溫使AS9330表面原子互相擴散，從而形成致密結(jié)構(gòu)的過程，也稱之為“低溫?zé)Y(jié)技術(shù)”。加入納米銀粒子的低溫?zé)Y(jié)技術(shù)大大提升了導(dǎo)熱及導(dǎo)電性能，可滿足對于第三代半導(dǎo)體高功率器件的電子互聯(lián)應(yīng)用。
半燒結(jié)銀AS9330是為芯片粘接提供了一種無鉛(LEAD FREE)的替代方案，適用于高功率密度半導(dǎo)體封裝, 符合RoHS要求。
AS9330半燒結(jié)銀無需高溫高壓，可以在175度至200度溫度范圍下低溫?zé)Y(jié)并且粘接力穩(wěn)定。剪切強度高達45MPA。
半燒結(jié)銀AS9330和普通銀材料相比有更全面的導(dǎo)熱和可操作性能 ，AS9330使用制程簡便，與普通導(dǎo)電銀膠工藝相似。
半燒結(jié)銀AS9330的工藝流程如下：1 清潔芯片和被粘結(jié)的界面2 假設(shè)界面表面能太低，建議提高界面表面能.
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