新能源車的高速發(fā)展，帶動不斷增大的激光器和驅(qū)動芯片功率，對散熱提出了更高的挑戰(zhàn)。半燒結(jié)銀AS9330是連接半導體晶體管和元器件的關(guān)鍵材料，起到導電和導熱的作用，影響元器件電路導通、功能實現(xiàn)及穩(wěn)定性。
半燒結(jié)銀AS9330是為芯片粘接提供了一種無鉛(LEAD FREE)的替代方案，適用于高功率密度半導體封裝, 符合RoHS要求。
AS9330半燒結(jié)銀的 導熱系數(shù)范圍80W/mK-100W/ mK，在銀、銅和鎳鈀金引線框架的封裝內(nèi)電阻更低的熱阻（Rth）- 0.4K/W。
AS9330半燒結(jié)銀無需高溫高壓，可以在175度至200度溫度范圍下低溫燒結(jié)并且粘接力穩(wěn)定。剪切強度高達45MPA。
AS9330結(jié)合了性能、可靠性和可加工性。對于那些希望找到焊料的無鉛替代品（無需昂貴或復雜的加工，又能確保與傳統(tǒng)材料同等或更優(yōu)的性能）的封裝而言，AS9330燒結(jié)銀可以全面滿足他們的需求，同樣也為實現(xiàn)第三代半導體功率的電子互聯(lián)提供很好解決方案。
半燒結(jié)銀AS9330 燒結(jié)結(jié)束時，建議在烘箱中逐步降溫到室溫再把器件拿出；燒結(jié)銀燒結(jié)時，要主要燒結(jié)溫度，燒結(jié)時間，燒結(jié)壓力”鐵三角“的調(diào)整問題。
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