DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。
Flash內(nèi)存即Flash Memory,全名叫Flash EEPROM Memory,又名閃存,是一種命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是按區(qū)塊擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快,所以被稱為Flash erase EEPROM,或簡稱為Flash Memory。
由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù),閃存通常被用來保存設(shè)置信息,如在電腦的BIOS(基本輸入輸出程序)、PDA(個人數(shù)字助理)、數(shù)碼相機(jī)中保存資料等。另一方面,閃存不像RAM(隨機(jī)存取存儲器)一樣以字節(jié)為單位改寫數(shù)據(jù),因此不能取代RAM。
回收電子元件有什么意義
目前,我國垃圾累計堆放量已達(dá)60多億噸,占用土地5億米2,對土壤、地下水、大氣造成現(xiàn)實和潛在的污染相當(dāng)嚴(yán)重。因此,積極推進(jìn)再生資源的回收利用是治理污染的重要措施。隨著我國綜合國力的增強(qiáng)和居民生活水平的提高,人們對城市環(huán)境質(zhì)量的要求會越來越高,國家將進(jìn)一步加大環(huán)境污染綜合治理的力度,這將為再生資源回收利用的發(fā)展創(chuàng)造有利的條件和良好的社會環(huán)境。
再生資源回收利用是實現(xiàn)資源永續(xù)利用的重要措施
積極推進(jìn)再生資源利用,將大量社會生產(chǎn)和消費(fèi)后廢棄的資源回收利用,可以減少對原生資源的開采,提高資源綜合利用水平;既節(jié)約了大量的資源,又推動了經(jīng)濟(jì)增長方式由粗放型向集約型轉(zhuǎn)變。因此,大力提高再生資源回收利用水平,是促進(jìn)資源永續(xù)利用的重要措施。
回收生活中的廢品是非常有必要的
由于生活水平較以前有很大的改觀,因此人們在消費(fèi)的過程中也都可以“放手一搏”,而在高消費(fèi)的同時,所產(chǎn)生的生活廢品較以前來說也變得更多,而一旦對于這些生活中的廢品不予以處理,將會產(chǎn)生污染環(huán)境進(jìn)而對人體造成危害的后果,就這一問題實行對生活廢品的積極回收,以達(dá)到從根源上杜環(huán)境污染的源頭。
眾所周知,電子呆料原裝芯片庫存的回收不僅防止了資源的浪費(fèi),降低了電子污染的出現(xiàn)頻率,而且也不會因隨意丟棄而危害環(huán)境,廢舊電子料可以加強(qiáng)對電子廢物的回收再利用,對于防止和減少環(huán)境污染,提升資源利用水平,推動經(jīng)濟(jì)循環(huán)的發(fā)展,完善再生資源回收,實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展都具有重要意義。
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