晶圓的集成電路制造，為了降低器件熱阻、提高工作散熱及冷卻能力、便于封裝，在硅晶圓正面制作完集成電路后，需要進行背面減薄。晶圓的背面研磨工藝，是在晶圓的正面貼一層膜保護已經(jīng)制作好的集成電路，然后通過研磨機來進行減薄。晶圓背面研磨減薄后，表面會形成一層損傷層，且翹曲度高，容易破片。為了解決這些問題，需要對晶圓背面進行濕法硅腐蝕，去除損傷層，釋放晶圓應力，減小翹曲度及使表面粗糙化。使用槽式的濕法機臺腐蝕時，晶圓正面及背面均與腐蝕液接觸，正面貼的膜耐腐蝕，從而保護正面的集成電路。使用單片作業(yè)的濕法機臺，晶圓的正面通常已被機臺保護起來，不會與腐蝕液或者腐蝕性的氣體有接觸，可以撕膜后再進行腐蝕。

硅片是制作晶體管和集成電路的原料。一般是單晶硅的切片。硅片，是制作集成電路的重要材料，通過對硅片進行光刻、離子注入等手段，可以制成各種半導體器件。用硅片制成的芯片有著驚人的運算能力?？茖W技術的發(fā)展不斷推動著半導體的發(fā)展。自動化和計算機等技術發(fā)展，使硅片（集成電路）這種高技術產(chǎn)品的造價已降到十分低廉的程度。

晶圓測試是對晶片上的每個晶粒進行針測，在檢測頭裝上以金線制成細如毛發(fā)之探針，與晶粒上的接點接觸，測試其電氣特性，不合格的晶粒會被標上記號，而后當晶片依晶粒為單位切割成立的晶粒時，標有記號的不合格晶粒會被淘汰，不再進行下一個制程，以免徒增制造成本。